外部存储包括磁盘和闪存。磁盘又包括硬盘、移动硬盘，技术较为成熟。闪存一般用于U 盘、固态硬盘，可分为NOR Flash 和NAND Flash 两类。NOR Flash 主要用于代码储存，NAND Flash 主要用于数据批量存储。NOR Flash 技术上采用可随机存储，确保较快的随机读取速度，可执行代码，确保可直接和处理器链接，因此主要用于频繁执行各类程序的嵌入领域，如代码存储，未来发展前景在于降低成本和功耗、提升处理速度、提高可靠性。NANDFlash 技术上采用非随机存储、不可执行代码，以块为单位进行存储操作，具备较高的存储速度，适合大容量数据存储，主要用于批量数据存储区域。
存储器市场止跌回升，2017 年市场规模将达853 亿美元。据报道，在经历了2013-2014 连续两年20%以上的增长后，2015 年全球存储器市场陷入困境。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015 年下半年出现了价格暴跌，2015 年存储器销售额最终为780 亿美元，同比下降3%。这种颓势延续到了2016 年上半年，但从2016 年下半年开始存储器价格开始回升，估算2016 年全球存储器市场同比下降1%。2017 年，存储器价格还将上涨，从而有望推动全球存储器市场规模达到创纪录的853 亿美元，同比增长10%。IC Insights 同时认为，今后几年存储器市场都将非常健康，在2020 年之前每年都能保证增长，并于2020 年达到1000 亿美元的规模。
DRAM 是存储器市场增长的主力军，三星、SK 海力士保持领先。DRAM 是2013 与2014年存储器市场增长的主力军，但2015 年DRAM 销售额下降3%，2016 年下跌10%，这导致全球存储器市场连续两年下跌。预计2017 年DRAM 价格将大幅上涨，从而带动DRAM市场增长11%。2015 第四季度，全球DRAM 总产值为102.7 亿美元，在存储器市场中占比超过50%。从营业收入来看，三星、SK 海力士、美光三强占据超过90%的市场份额。三星和SK 海力士在市场份额与技术上的优势持续扩大；美光的市场份额则持续衰退，或将面临成本保卫战。
磁盘存储市场规模及份额均保持稳定。据统计，2015 年第三季度全球磁盘存储市场营收规模达到91 亿美元，同比增长2.8%；总容量出货量达到33.1EB，同比增长31.5%。市场营收增长的主要动力来自于超大规模数据中心和基于服务器的存储。在全部磁盘存储市场中，EMC、HP、Dell、NetApp、IBM 分列前五名，占据市场份额总计58%。
全球闪存市场空间广阔，NAND为主流，占据主要市场空间。2015 年，全球闪存芯片整体产业规模约为327 亿美元。其中，NAND Flash 整体产业规模为308 亿美元，NOR Flash整体产业规模为19 亿美元，NAND 占据94.2%的份额。根据预测，到2020 年整体市场规模将达到446 亿美元，其中NAND 433 亿美元，NOR 13 亿美元，NAND占据97.1%，为未来主流需求，市场空间广阔
NOR Flash 全球市场规模目前约19 亿美元，未来呈萎缩态势。2016 年最新数据显示，NOR Flash 芯片2015 年全球市场规模约19 亿美元，较2014 年下滑12.66%，预计之后仍将延续逐年缓慢下滑态势，预计2020 年全球市场规模下滑至13 亿美元左右。产业调研显示，NOR Flash 市场规模近年下降主因是之前大范围应用NOR Flash、对数据存储容量要求较小功能手机（Feature Phone），近2~3 年来被数据存储容量要求大、采用NANDFlash 的智能手机大范围替代。由于NOR Flash 部分传统市场如硬盘、网络设备仍占据重要地位，部分新兴领域也正在使用小容量的NOR Flash，预计其整体市场空间依然保持13 亿美元以上规模。
美光、华邦、旺宏等厂商占据NOR Flash 全球大部份额，三星电子逐渐退出NOR Flash市场竞争。随着国际巨头退出市场，“两岸”厂商开始崛起，替代“美韩”趋势明显，兆易创新作为国内最大的闪存芯片供应商，近年来加速扩张其NOR Flash 的市场份额，从2012年的3.4%增长至2015 年的7%。
NAND Flash 市场空间广阔，发展势头强劲。NAND Flash 是Flash 的一种，其内部采用非线性宏单元模式，是固态大容量内存当前最廉价有效的解决方案，具有容量较大，改写速度快等特点，主要应用在大量资料的储存。NAND Flash 深度受益于数据时代智能移动终端存储需求的持续快速增长，以及云计算下服务器海量存储需求的爆发，大数据存储和高速传输需求让500GB 以上的SSD 在服务器市场需求快速增加。根据DRAM exchange 的数据，2015 年NAND Flash 市场供应量超过810 亿GB 当量，2016 年整体NAND Flash 产值将达310 亿美元，预计2020 年整体市场空间增长至433 亿美元。
寡头垄断仍将持续，NAND Flash厂商集中度高。目前NAND 闪存领域主流市场已发展到10nm 以下技术制程、3D 封装等先进工艺领域，技术壁垒高、资本投入大，属于典型的寡头垄断市场。三星、东芝、海力士、美光四家公司占据全球80%市场份额，中国的NANDFlash、DRAM 厂商全球市场占有率极低，如果没有国外技术来源，追赶主流工艺将非常困难。与NOR Flash 不同，NAND Flash 在产业链一体化领域集中度更高，形成IDM（设计+代工）模式厂商一家独大的局面。三星、东芝、海力士和美光四家公司，占据了绝大部分的市场份额。
NAND Flash 国产化趋势初现端倪，瞄准100 亿美元进口替代空间。全球NAND 存储市场规模约为350 亿美元，中国需求量约为100 亿美元。国际NAND Flash 大厂纷纷加大在华投资，包括三星西安厂、英特尔大连厂、美光(Micron)与力成合资的西安封装厂，抢占国内市场份额。虽然中国NAND Flash 厂商起步较晚，但国产化替代趋势已逐步显现。在国家的大力支持下，以西安华芯、武汉新芯、紫光国芯为代表的国内存储器的龙头和领军者，正在加速发展，武汉新芯和紫光国芯规划在2018 年底实现量产12 英寸晶圆月产能30 万片，相当于三星全球产能的30%，展示了强大的本土化决心。
