一、CMP抛光液的主要成分
在化学机械抛光过程中，抛光液与晶片之间发生化学反应，在晶片表面形成一层钝化膜,然后由抛光液中的磨料利用机械力将反应产物去除，所以抛光液对抛光效率和加工质量有着重要影响。CMP抛光液的主要成分一般包括：去离子水、磨料、pH值调节剂、氧化剂、抑制剂和表面活性剂等：
CMP抛光液的主要成分
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二、中国CMP抛光液行业市场现状分析
从晶圆制造材料拆分来看，硅片仍是占比最高材料，电子气体、光刻胶及辅助材料、超净高纯试剂、CMP抛光垫及抛光液、溅射靶材等都是主要材料。其中CMP抛光材料占比为7%，CMP抛光材料中抛光液占比为49%。
晶圆制造各材料占比情况（单位：%）
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抛光材料中各材料占比情况（单位：%）
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根据《中国半导体支撑业发展状况报告》统计，中国大陆近年对于IC光刻胶的整体需求（含外资）逐年增长，截至2020年中国半导体光刻胶市场规模为27.4亿元，预计2021年将达到31亿元。
2015-2021年中国半导体光刻胶市场规模及增速
资料来源：《中国半导体支撑业发展状况报告》，华经产业研究院整理
由于CMP抛光材料占比晶圆制造约为7%（CMP抛光液占其49%），计算出2021年中国CMP抛光垫市场规模约为17.72亿人民币。
2015-2021年中国半导体CMP抛光液市场规模及增速
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相关报告：华经产业研究院发布的《2021-2026年中国抛光液市场深度评估及行业投资前景咨询报告》
三、CMP抛光液行业竞争格局分析
安集科技成立于2006年2月，坚持自主创新，长期致力于为集成电路行业提供汇集创新驱动、高性能及成本优势的产品和技术解决方案。当前安集科技成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断，实现了进口替代，使我国具备在该领域的自助供应能力。对于安集而言，铜抛光液的竞争对手包括Fujifilm和Merck等；钨抛光液的竞争对手是Cabot等；二氧化铈为基础的抛光液，竞争对手包括Asahi、Hitachi、Merck和Cabot等。
国内外CMP抛光液主要企业经营对比
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随着中国晶圆厂的大规模8寸及12寸晶圆产能扩产，中国内资CMP抛光垫及抛光液厂商有望受益于此进入该行业实现国产替代。预计我国将会在未来成为全球最大的新增晶圆产能国之一（12寸及8寸晶圆产能），而当前及未来可以实现国产替代的原因如下：
国产CMP厂商应对国产替代环境变化对比
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四、CMP抛光材料的主要难点
CMP抛光材料作为晶圆制造关键材料，具有“难”、“专”、“多”等特点。“难”体现在从微米级到纳米级别的器件线路上，对不同材料的去除速率、选择比及表面粗糙度和缺陷要求精准至纳米乃至分子级，高难工艺对抛光材料的性能提出高难度的技术要求和挑战；“专”体现在同一技术节点，不同下游客户集成技术不同，对抛光材料需求也不同，CMP抛光材料专用性高，客户和供应商联合开发成为成功先决条件；“多”体现在随着集成电路技术的进步和性能要求增加，下游客户在制造过程中对CMP抛光材料种类和用量需求不断增加：14nm以下逻辑芯片工艺使用抛光液从90nm的五六种抛光液增加到20种以上，7nm及以下使用的抛光液种类接近30种。
CMP抛光材料主要难点
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华经产业研究院对中国CMP抛光液行业发展现状、市场供需情况等进行了详细分析，对行业上下游产业链、企业竞争格局等进行了深入剖析，最大限度地降低企业投资风险与经营成本，提高企业竞争力；并运用多种数据分析技术，对行业发展趋势进行预测，以便企业能及时抢占市场先机；更多详细内容，请关注华经产业研究院出版的《2021-2026年中国抛光液行业发展监测及投资战略规划研究报告》。
