一、第三代半导体行业概况
第三代半导体是指化合物半导体，包括SiC(碳化硅)、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、AlN（氮化铝），以及金刚石等宽禁带半导体材料（导带与禁带间能隙差Eg>2.3eV），具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能。
三代半导体特性对比
资料来源：公开资料整理
第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，主要应用在光电子、电力电子和射频芯片三大领域，其中光电子器件包括LED、激光器、探测器等，电力电子器件包括二极管、MOSFET等；微波射频器件包括PA、LNA和滤波器等。
第三代半导体材料器件构成
资料来源：公开资料整理
二、第三代半导体行业发展现状
目前第三代半导体器件已经迅速进入了新能源汽车、光伏逆变、5G基站、PD快充等应用领域，碳化硅主要应用在新能源汽车和工控等领域，氮化镓器件主要应用在5G基站等领域。2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超100亿元。其中，SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54.14%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长83.13%。
2016-2020年中国SiC、GaN电力电子产值及增速
资料来源：CASA，华经产业研究院整理
2016-2020年中国GaN微波射频产值及增速
资料来源：CASA，华经产业研究院整理
相关报告：华经产业研究院发布的《2021-2026年中国第三代半导体市场调查研究及行业投资潜力预测报告》
三、第三代半导体行业相关政策分析
在SiC、GaN等第三代半导体产业链方面，国内产业也正在发力。由于下游领域关系国计民生（能源、交通等），并且下游大多是国内优势产业（新能源车、光伏、高铁等），国产替代意愿强、政策支持力度大。
2014-2021年中国第三代半导体行业相关政策梳理
资料来源：公开资料整理
四、第三代半导体行业存在的主要问题分析
半导体产业研发投入周期长，技术更新快，全球充分竞争，先行者有成本和供应链优势，持续盈利支撑技术不断进步，产业后进入者追赶难度大。一方面，以美国为主导的逆全球化浪潮加剧、贸易战频发，全球产业链供应链因非经济因素而面临冲击，中国亟需摆脱依赖；另一方面，5G、人工智能、新能源等发展提速，对半导体需求猛增，产业的关注度日益增高，国产化替代成为发展趋势，也出现了各地方半导体项目一哄而上、部分低水平重复的现象，第三代半导体相关项目估值过高，造成了非理性的市场表现和资源浪费。中国在第三代半导体技术创新和产业化方面主要存在以下问题：
第三代半导体行业存在的主要问题
资料来源：华经产业研究院整理
五、第三代半导体产业发展展望
第三代半导体是 5G/6G 移动通信、新能源汽车、高速列车、智能电网等产业创新发展的核心材料与器件，是全球技术前沿和产业竞争焦点，国际高端材料禁运等问题对产业安全构成极大风险。“十四五”是中国第三代半导体产业发展的关键窗口期，能否建立长期战略优势至关重要，要着眼长远、把握大势。联盟将充分发挥桥梁作用，为政产学研合作搭建平台，打通产业链上下游、促进协同创新。围绕粤港澳大湾区、长三角区域一体化、京津冀协同发展等国家重大发展战略部署，瞄准国家重大需求，推动探索新型举国体制，建立上中下游互融共生、分工合作、利益共享的一体化、市场化机制，聚焦核心技术和卡脖子问题，实现信息、能源、交通、智能制造等领域第三代半导体材料及器件自主可控，并形成未来优势长板，为赶超世界科技前沿、保障国家经济安全、满足国家重大需求和人民生命健康提供科技支撑。
华经产业研究院对中国第三代半导体行业发展现状、市场供需情况等进行了详细分析，对行业上下游产业链、企业竞争格局等进行了深入剖析，最大限度地降低企业投资风险与经营成本，提高企业竞争力；并运用多种数据分析技术，对行业发展趋势进行预测，以便企业能及时抢占市场先机；更多详细内容，请关注华经产业研究院出版的《2021-2026年中国第三代半导体市场深度分析及投资战略咨询报告》。
