硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料（如 SiGe/Si、SOI 等） ，利用现有 CMOS 工艺进行光器件开发和集成的新一代技术，结合了集成电路技术的超大规模、超高精度制造的特性和光子技术超高速率、超低功耗的优势，是应对摩尔定律失效的颠覆性技术。
硅光子技术最早1969年由贝尔实验室提出， 50年来大体经历了技术探索（1960s－2000s）、技术突破（2000s－2008年）、集成应用（2008年至今）三个阶段。
硅光发展历程（1960s-2015）
硅光子器件与产品可分为三个层次：硅光器件、硅光芯片、硅光模块。
硅光器件是各个环节的功能单元，主要包括光源、调制器、探测器、波导等。
硅光芯片将若干基本器件进行单片集成，以实现高性能、低功耗、低成本等特性，包括光发送集成芯片、光接收集成芯片、光收发集成芯片、相同功能器件阵列化集成芯片（探测器阵列芯片、调制器阵列芯片等）等。
硅光模块是最终系统级的产品形式，即将光源、硅光子器件/芯片、外部驱动电路（激光器驱动、调制器 IC 和探测器读出放大 IC 等）集成到一个模块，包括光发送模块、光接收模块和光收发一体模块等。
硅光子器件和产品分类
本文采编：CY314
